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台积电 (TSMC) 市值再次超过腾讯

文章出处：霍尔元件人气：发表时间：2021-08-18 09:39

本周，台积电 (TSMC) 市值再次超过腾讯，霍尔元件等芯片行业在股市上表现依旧火热，台积电也成为亚洲市值最高的公司。

根据 Refinitiv Eikon 截至8月18日上午的数据，台积电在亚洲公司中以超过 5380 亿美元的市值位居榜首。腾讯以超过 5360 亿美元的市值位居第二。

就在本月初的8月3日，台积电市值达到5520亿美元，历史性地超过了腾讯，成为亚洲市值最高的公司。不过，在那之后，腾讯的市值反弹，然后又回落，直到本周，台积电再一次超越了腾讯。

能够取得如此亮眼的成绩，首要原因当然是台积电超强的晶圆代工技术实力及其市场占有率。此外，最近中国政府一系列反垄断措施，对中国大陆的腾讯等互联网头部企业影响较大，客观上帮助了台积电。

另外，由于疫情导致供应链中断以及汽车和数据中心等行业的需求激增，全球半导体短缺，作为晶圆代工厂龙头的台积电受益于此。

以上体现的是台积电在亚洲市场的地位，而对于这家备受关注的半导体企业来讲，在过去一年多的时间内，其在全球半导体业地位的确立，还有两个重要的时间点。

第一个出现在2020年7月20日，当时，该公司市值达到3130亿美元，超过了三星的2610 亿美元和英伟达的2570亿美元，成为全球最大的半导体公司。

第二个时间点出现在今年4月27日，台积电的市值达到5580亿美元，是英特尔的（2390亿美元）两倍多。

在过去的20年里，台积电深耕技术，稳扎稳打，在不断赢得客户的情况下，市值一直稳步提升。经过多年的积累，在最近5年结出了丰硕的果实，不但工艺技术和市占率领袖群伦，其市值更是在近两年内如火箭般窜升。

进入2020年以后，台积电的市值陡然上升。那么，在过去的这一年多时间内，该公司处在怎样一个发展状态呢？下面从制程工艺技术、市场影响力、投资扩产、营收等各方面看一下。

先进制程

先进制程已成为台积电的名片，特别是7nm、5nm、3nm和2nm。

7nm方面，台积电已经在这个节点上获得了超过200个NTO，且大多投入量产。该公司已经生产了超过10亿颗7nm芯片。在7nm时代，台积电还率先推出了使用EUV技术的7nm+工艺。在7nm基础上，该公司推出了6nm工艺，这个平台的一个主要特点是与7nm工艺平台兼容，这样，客户很容易把7nm的设计移植到6nm。

2020年，台积电实现了5nm的量产，与7nm相比，新工艺的速度提升了15%，功耗降低了30%，而逻辑密度则是前者的1.8倍。在良率方面，新工艺的进展也非常顺利。与此同时，该公司还推出了增强版的N5P工艺制程，晶体管的速度提升了5%，功耗降低了10%，这将给HPC带来新的机会。

此外，台积电还基于N5平台推出了N4工艺，其速度、功耗和密度都有了改善。其最大的优势同样是在于其与N5的兼容，使用5nm工艺设计的产品能够轻易地转移到4nm的平台上。这也能保证台积电客户在每一代的投资，都能获得更好的效益。N4试产将在2021年第四季度，而量产将会在2022年实现。

目前，台积电正在为3nm制程工艺量产做着准备，在这代工艺上，台积电会继续采用FinFET。与5nm相比，台积电3nm的速度将提升10%到15%，功耗将提升25%到30%，逻辑密度将是前者的1.7倍，SRAM密度也将能提升20%，就连模拟密度也提升了10%。根据台积电规划，3nm工艺将在2022年下半年进行量产。

2019年，台积电率先开始了2nm制程技术的研发工作。相应的技术开发的中心和芯片生产工厂主要设在台湾地区的新竹，同时还规划了4个超大型晶圆厂，主要用于2nm及更先进制程的研发和生产。

台积电2019年成立了2nm专案研发团队，寻找可行路径进行开发。在考量成本、设备相容、技术成熟及效能表现等多项条件之后，决定采用以环绕闸极（Gate-all-around，GAA）制程为基础的MBCFET架构，解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。MBCFET和FinFET有相同的理念，不同之处在于GAA的栅极对沟道的四面包裹，源极和漏极不再和基底接触。

按照台积电给出的2nm工艺指标，Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm，Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm，相比于3nm都小了23%。

按照规划，台积电有望在 2023 年中期进入 2nm 工艺试生产阶段，并于一年后开始批量生产。2020年9月，据台湾地区媒体报道，台积电2nm工艺取得重大突破，研发进度超前，业界看好其2023年下半年风险试产良率就可以达到90%。

目前，除了晶圆厂建设、台积电2nm人才安排和培育方面的工作也正在有条不紊地进行着，据报道，该公司在过去几个月提拔了4名员工。这些举措是为了让这些员工有更多的精力投入到2nm制造工艺的研究和开发当中。据悉，Geoffrey Yeap现在是2nm制程平台研发部的高级总监。这个位置在此之前是不存在的。当该公司开始专注于2nm制程时，创造这个位置是很重要的。台积电对管理人员的学术要求很高。两位新提拔的副总经理都有博士学位。

台积电不仅在先进制程方面处于霸主地位，在成熟和特殊制程领域同样名列前茅，可以提供MEMS、图像传感器、嵌入式NVM，RF、模拟、高电压和BCD功率IC等制程工艺。台积电在基本的逻辑技术基础上，会加上先进的ULL&SRAM、RF&Analog及eNVM技术，实现低功耗以及模拟技术的提升。

为了实现低功耗，台积电可提供0.18um eLL、90nm ULP、55ULP等制程，同时，该公司还推出了最新的FinFET技术-N12e，可以打造高效高能的产品。

台积电在Sensor，Stacking和ASIC（ISP）方面都在延续自己的技术。Sensor方面从N65BSI 一直到N65BSI，Stacking方面，则是从BSI到Advanced Pixel Level Stack，ASIC（ISP）则是从N90LP到N65LP。

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